黑色保护胶–用于HF和KOH蚀刻应用保护胶

Allresist 为HF和KOH蚀刻应用提供保护涂层 SX AR-PC 5000/40 已经有几年了历史了。5 μm的胶层能够承受 48% 的氢氟酸溶液高达数小时。用于硅蚀刻的40% 的KOH溶液也不会腐蚀该胶层。然而,保护胶的温度稳定性并不是特别高,在 65 °C 时,会开始熔化,这使得该保护胶不适用于 85 °C下的 KOH 蚀刻应用。

出于这个原因,我们开发了一种改进的保护胶。SX AR-PC 5000/41 (Black-Protect) 在高达 130 °C 的温度下依然保持稳定,因此也可用于 85 °C 的 KOH 蚀刻。在 > 5 µm 的胶厚下,保护层可以抵抗浓氢氟酸和 40% 氢氧化钾溶液。然而,先决条件是样品的边缘需要被完美的包覆。这可以通过旋涂期间的优化涂胶工艺来实现。使用 EV G的边缘覆盖胶,可以获得非常好的层质量,这足以保护背层。

旧的保护涂层 SX AR-PC 5000/40 可以与紫外光刻胶一起构成双层胶系统,当然新的光刻胶也可以做到这一点。然而,由于简化了工艺参数,Black-Protect 的处理工艺更简单。

1. 保护胶 SX AR-PC 5000/41 4.000 rpm,5 µm 薄膜厚度
2.前烘 95 °C,烤箱 25 分钟
3. 涂料 AR-P 3250 4.000 rpm,5 µm 薄膜厚度
4.前烘 95 °C,烤箱 25 分钟
5. 曝光 宽普紫外
6.显影光刻胶 AR 300-26(3:2 稀释)
7. 开发保护涂层(各向同性) X AR 300-74/5(溶剂)
8. 去除光刻胶 AR 300-26 未稀释
9.蚀刻 用户特定工艺

图 1 显影后的黑色保护层,膜厚 5 µm

图 1 显示了去除光刻胶层后显影孔的漏斗形边缘。这是由于 Black-Protect 的各向同性发展;光不敏感聚合物在所有方向上被快速均匀地去除形成的,这使得保护胶中的孔相比于光刻胶的孔稍大。在设计所需结构的过程中必须考虑到这种影响。

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