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光刻胶相关的基本化学信息
在碱溶性酚醛树脂中添加光活性化合物（PAC、二叠氮萘醌 (NQD)）会降低光刻胶薄膜的碱溶性。酚醛树脂的碱溶性 OH 基团被 NQD 阻断（抑制效应），因此碱性显影液无法攻击。
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负性光刻胶的图案化是基于在交联剂存在下曝光区域的稳定性而产生的。活性的引发剂，例如偶氮二（异丁腈）（AIBN）或过氧化二苯甲酰（DBDO），在加热或暴露于 < 300nm 的短波长光时形成反应性自由基，由于引发的链式反应，导致聚合物基质的交联。这导致在有机显影液（例如 MIBK 显影剂）中的溶解度较低，因此曝光区域在显影后仍然保留下来。
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光刻胶在微电子学和微系统技术中被广泛应用于制备微米级和亚微米级结构。Allresist涵盖了广泛的光刻胶类型，适用于多种应用。紫外正性光刻胶（紫外正胶）Allresist生产的正性光刻胶由成膜剂(如甲酚酚醛树脂)和光敏物质(如萘醌二叠胺)溶解在(如甲氧基丙基乙酸酯(PGMEA))溶剂中混合而成。
紫外负性光刻胶（紫外负胶）对于负性光刻胶的生产，还需要酚醛双氮化剂，酸化剂和氨基化合物溶解在适当的溶剂中(例如甲氧基丙基乙酸酯)。
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