就所使用的原材料而言，电子束光刻胶分为四种不同的类别：PMMA- 光刻胶 (AR-P 6xx(x)，CSAR 62，酚醛树脂基电子束胶 (AR-N/P 7000)，Electra 92导电胶。一般情况下，随着烘烤或工艺温度的升高，光刻胶膜的溶解性降低，从而导致去除问题越来越大。在高于 200 °C 的温度下烘烤后，光刻胶在大多数溶剂中呈惰性。只有除胶剂 AR 300-70、300-72 (NMP) 和AR 300-73（TMAH，碱性水溶液）仍会导致薄膜溶胀，并且在某些情况下能够去除胶层。

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AR-P  6xx(x)和AR-N/P 7000系列的电子束光刻胶在干法刻蚀工艺（例如氩和CF4）中显示出截然不同的抗刻蚀特性。基于酚醛树脂的电子束光刻胶具有高刻蚀稳定性，而PMMA 明显抗刻蚀性能更差。CSAR 62具有与基于酚醛树脂的电子束光刻胶类似的高刻蚀稳定性。在刻蚀工艺之前，在110 °C下坚膜处理可以使光刻胶分子再次稳定有助于略微增加刻蚀稳定性。光刻胶刻蚀速率高度依赖于各自的条件。除了使用的刻蚀设备（等离子刻蚀机）外，刻蚀速率还受刻蚀气体成分、压力、温度和偏压的影响。

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使用极性溶剂可以有效去除在较低温度下烘烤（软烘烤）后的所有电子束光刻胶，例如使用推荐的稀释剂 AR 300-12 或 AR 600-01、600-07 和 600-09，以及除胶剂 AR 600-70（丙酮基）。AR 600-70 也是以去胶为目的最常用的去胶液。

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电子束光刻胶在使用波长非常短的电子束曝光设备，可以获得高达 2 nm 的优异分辨率（高斯束）。电子束曝光通常是使用基于高斯束直写或变形束工作原理的传统电子束光刻设备来进行的。
对于AR-N/P 7000 光刻胶产品线，通常也可用于混合光刻工艺，即可以在相应的紫外光谱工作范围内使用 i-、g-线步进投影式光刻机或者接触式曝光机进行额外的曝光。

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如果使用新的且干净的衬底（如硅片），在~ 200 °C 下烘烤几分钟就可以有效去除衬底表面的水汽，但随后必须快速进行后续工艺处理。强烈建议暂时存放在干燥器中，以防止样品表面再次吸水。使用过的样品或被有机试剂污染的晶片需要预先进行清洁步骤，例如，在一般情况下，使用丙酮和随后的异丙醇或乙醇处理依次清洗，然后烘烤即可。

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