紫外光刻胶分成

光刻胶在微电子学和微系统技术中被广泛应用于制备微米级和亚微米级结构。

Allresist涵盖了广泛的光刻胶类型,适用于多种应用。

紫外正性光刻胶(紫外正胶)

Allresist生产的正性光刻胶由成膜剂(如甲酚酚醛树脂)和光敏物质(如萘醌二叠胺)溶解在(如甲氧基丙基乙酸酯(PGMEA))溶剂中混合而成。

紫外负性光刻胶(紫外负胶)

对于负性光刻胶的生产,还需要酚醛双氮化剂,酸化剂和氨基化合物溶解在适当的溶剂中(例如甲氧基丙基乙酸酯)。

保护胶

保护胶(聚合PMMA,聚合碳氢化合物)用于强烈的蚀刻过程,防止衬底材料的破坏。

图形翻转胶

图形翻转胶是加了胺的正性光刻胶。根据制造过程的不同,可用产生正胶或者负胶结构。此外,我们还提供特殊应用的光刻胶,如正性聚酰亚胺光刻胶(适用于高温应用> 300°C,聚合物聚酰亚胺),负PMMA光阻剂(用于无水显影的敏感衬底,聚合物PMMA和交联剂),正胶或负胶搭配使用的双层胶底胶(剥离技术,高分子共聚物PMMA)。

基础化学品概述:

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