电子束光刻胶 AR-P 6200系列(CSAR 62) 

(AR-P 6200.04, AR-P 6200.09, AR-P  6200.13, AR-P 6200.18)

用于集成电路加工和掩膜版加工,高稳定性高对比度电子束正胶

产品特点

  • 感光波段:电子束
  • 胶厚:0.05-1.6 um(6000-1000 rpm)
  • 可通过不同的显影液调节灵敏度
  • 超高分辨率(<10 nm),极高对比度
  • 工艺稳定性高、耐刻蚀性好
  • 易获得底切(under-cut)剥离结构
  • 聚(α-甲基苯乙烯-共-α-氯丙烯酸甲酯)
  • 安全溶剂:苯甲醚

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产品信息

膜厚/4000 rpm 0.08 µm
最佳分辨率 6 nm
对比度 14
闪电 44 ℃
6个月存储温度(°C) 8-12 °C

包装规格

  • 1 x 30毫升(实验样品)
  • 1 x 100毫升
  • 1 x 250毫升
  • 1 x 1000毫升
  • 6 x 1000毫升
  • 如果您有其他要求,请随时联系我们!

光刻胶结构

AR-P 6200.09:25 nm结构,光刻胶厚度180 nm

工艺参数

  • 衬底

    Si 4”晶圆

  • 前烘

    150 °C, 60 s, 热板

  • 曝光

    Raith Pioneer, 30 kV

  • 显影

    AR 600-546,60 s,22°C

实用案例

AR-P 6200.04: 80 nm胶厚下高分辨率6 nm结构

800nm AR-P 6200胶获得大角度底切(under-cut)结构

AR-P 6200.09作为上层胶组成双层lift-off结构

旋涂曲线

耐刻蚀性

CSAR 62 的特点是具有很好的耐干法刻蚀性。图中, AR-P 6200.09 与AR-P 3740(光刻胶)、AR-P 679.04(PMMA 电子束光刻胶)和 ZEP 520A 在 CF4 + O2 等离子体中的蚀刻速率对比

掩膜版上的CSAR 62光刻胶结构

图 1 具有 50 nm 线和 50 nm 沟槽的掩膜版上的 CSAR 62 光刻胶结构;周期 99.57 nm

HHI Berlin 的专家已经在掩模衬底上测试了 CSAR 62(上图 1)。他们实现了 50 nm 的结构,这对于掩模加工来说具有重要意义。迄今为止,掩模上使用的是 100 nm 及以上的线。目前正在使用 CSAR 62 对掩模衬底进行光刻测试,我们的合作伙伴将在不久的将来向所有客户提供样品。

100kV电子束直写的CSAR 62纳米结构

图2 SEM 图像(喷金):CSAR 62 纳米结构,参数:胶厚 200 nm,剂量 225 μC/
cm2,100 kV,显影液 AR 600-546,3 分钟,定影液 AR 600-60

在卡尔斯鲁厄理工学院,详细研究了 CSAR 62 制造复杂结构的适用性。CSAR 62 在电子束光刻机EBPG5200Z 以 100 kV 的加速电压进行直写,并用显影液 AR 600-546 进行显影,结果如上图2所示。纳米孔的直写和显影是一项极具挑战性的工作。使用 CSAR 62,可以实现 67 nm 结构规律性图案。

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