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膜厚/4000 rpm | 0.08 µm |
最佳分辨率 | 6 nm |
对比度 | 14 |
闪电 | 44 ℃ |
6个月存储温度(°C) | 8-12 °C |
AR-P 6200.09:25 nm结构,光刻胶厚度180 nm
AR-P 6200.04: 80 nm胶厚下高分辨率6 nm结构
800nm AR-P 6200胶获得大角度底切(under-cut)结构
AR-P 6200.09作为上层胶组成双层lift-off结构
CSAR 62 的特点是具有很好的耐干法刻蚀性。图中, AR-P 6200.09 与AR-P 3740(光刻胶)、AR-P 679.04(PMMA 电子束光刻胶)和 ZEP 520A 在 CF4 + O2 等离子体中的蚀刻速率对比
图 1 具有 50 nm 线和 50 nm 沟槽的掩膜版上的 CSAR 62 光刻胶结构;周期 99.57 nm
HHI Berlin 的专家已经在掩模衬底上测试了 CSAR 62(上图 1)。他们实现了 50 nm 的结构,这对于掩模加工来说具有重要意义。迄今为止,掩模上使用的是 100 nm 及以上的线。目前正在使用 CSAR 62 对掩模衬底进行光刻测试,我们的合作伙伴将在不久的将来向所有客户提供样品。
图2 SEM 图像(喷金):CSAR 62 纳米结构,参数:胶厚 200 nm,剂量 225 μC/
cm2,100 kV,显影液 AR 600-546,3 分钟,定影液 AR 600-60
在卡尔斯鲁厄理工学院,详细研究了 CSAR 62 制造复杂结构的适用性。CSAR 62 在电子束光刻机EBPG5200Z 以 100 kV 的加速电压进行直写,并用显影液 AR 600-546 进行显影,结果如上图2所示。纳米孔的直写和显影是一项极具挑战性的工作。使用 CSAR 62,可以实现 67 nm 结构规律性图案。
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