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产品特点
- 感光波段：电子束
- 胶厚：0.05-1.6 um（6000-1000 rpm）
- 可通过不同的显影液调节灵敏度
- 超高分辨率（<10 nm），极高对比度
- 工艺稳定性高、耐刻蚀性好
- 易获得底切（under-cut）剥离结构
- 聚（α-甲基苯乙烯-共-α-氯丙烯酸甲酯）
- 安全溶剂：苯甲醚
相关光刻百科
产品信息
AR-P 6200.04
| 膜厚/4000 rpm | 0.08 µm |
| 最佳分辨率 | 6 nm |
| 对比度 | 14 |
| 闪电 | 44 ℃ |
| 6个月存储温度（°C） | 8-12 °C |
AR-P 6200.09
AR-P 6200.13
AR-P 6200.18
包装规格
- 1 x 30毫升（实验样品）
- 1 x 100毫升
- 1 x 250毫升
- 1 x 1000毫升
- 6 x 1000毫升
配套试剂
光刻胶结构
AR-P 6200.09：25 nm结构，光刻胶厚度180 nm
工艺参数
实用案例
AR-P 6200.04: 80 nm胶厚下高分辨率6 nm结构
800nm AR-P 6200胶获得大角度底切（under-cut）结构
AR-P 6200.09作为上层胶组成双层lift-off结构
旋涂曲线
耐刻蚀性
CSAR 62 的特点是具有很好的耐干法刻蚀性。图中， AR-P 6200.09 与AR-P 3740（光刻胶）、AR-P 679.04（PMMA 电子束光刻胶）和 ZEP 520A 在 CF4 + O2 等离子体中的蚀刻速率对比
掩膜版上的CSAR 62光刻胶结构
图 1 具有 50 nm 线和 50 nm 沟槽的掩膜版上的 CSAR 62 光刻胶结构；周期 99.57 nm
HHI Berlin 的专家已经在掩模衬底上测试了 CSAR 62（上图 1）。他们实现了 50 nm 的结构，这对于掩模加工来说具有重要意义。迄今为止，掩模上使用的是 100 nm 及以上的线。目前正在使用 CSAR 62 对掩模衬底进行光刻测试，我们的合作伙伴将在不久的将来向所有客户提供样品。
100kV电子束直写的CSAR 62纳米结构
图2 SEM 图像（喷金）：CSAR 62 纳米结构，参数：胶厚 200 nm，剂量 225 μC/
cm2，100 kV，显影液 AR 600-546，3 分钟，定影液 AR 600-60
在卡尔斯鲁厄理工学院，详细研究了 CSAR 62 制造复杂结构的适用性。CSAR 62 在电子束光刻机EBPG5200Z 以 100 kV 的加速电压进行直写，并用显影液 AR 600-546 进行显影，结果如上图2所示。纳米孔的直写和显影是一项极具挑战性的工作。使用 CSAR 62，可以实现 67 nm 结构规律性图案。
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