电子束光刻胶 AR-P 7400系列

(AR-N 7400.23)

用于集成电路生产,掩膜版加工,抗刻蚀电子束正胶

产品特点

  • 感光波段:电子束,深紫外线,g-line,i-line:正负
  • 中等灵敏度
  • 工艺稳定性好、抗刻蚀性好
  • 专为电子束光刻而设计
  • 适用于深紫外(λ = 310 – 450 nm)曝光
  • 酚醛树酯和萘醌二叠氮化物的组合
  • 安全溶剂:PGMEA

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产品信息

膜厚/4000 rpm 0.60 µm
最佳分辨率 40nm
对比度 4(正)/10(负)
闪电 42℃
6个月存储温度(°C) 8-12°C

包装规格

  • 1 x 100毫升(实验样品)
  • 1 x 250毫升
  • 1 x 1000毫升
  • 6 x 1000毫升
  • 如果您有其他要求,请随时联系我们!

光刻胶结构

AR-P 7400.23: 150 nm 纳米柱阵列,胶厚 1.43 μm(负胶工艺)

工艺参数

  • 衬底

    Si 4”晶圆

  • 前烘

    90 °C, 10 min, 热板

  • 曝光

    Raith Pioneer, 30 kV

  • 显影

    AR 300-26,1:6,60 s

旋涂曲线

实际案例

AR-P 7400.23 阵列,像素大小为 220 x 85 nm(负胶)

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