适用于蚀刻应用的高分辨率电子束负胶 AR-N 7520.17new

在法国的 FEMTO-ST 研究所,使用 AR-7520.17new 在 400nm 的厚度下实现了非常均匀和光滑的 300nm 线条。在接下来的蚀刻应用中,光刻胶图形可以以优异的质量转移到 Si 衬底中。由于使用的等离子体(ICP,SF6:C4F8)具有良好的抗蚀刻性,因此可以实现 12:1 的选择性。

AR-N 7520.17,平行 的300 nm 线条,胶厚 400nm,SB 1′ @ 85°C,Raith eLine,30 kV,剂量 120 µC/cm²,显影 2′ AR 300-44 (0.26n TMAH),去胶使用氧等离子体

ICP 蚀刻结构,刻蚀气体 SF6:C4F8 / 400 W / 选择性 12:1,用氧等离子去胶

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