7. 如何再次去除电子束光刻胶膜?

使用极性溶剂可以有效去除在较低温度下烘烤(软烘烤)后的所有电子束光刻胶,例如使用推荐的稀释剂 AR 300-12 或 AR 600-01、600-07 和 600-09,以及除胶剂 AR 600-70(丙酮基)。AR 600-70 也是以去胶为目的最常用的去胶液。

对于加热至 200 °C的电子束光刻胶薄膜的湿法化学去胶,Allresist 推荐使用有机去胶液AR 300-76,它可加热至80 °C以减少去胶时间。可用于此目的的还有有机去胶液AR 300-70AR 300-72,但两者都含有以NEP作为主要成分的有机溶剂,其被归类为对生殖有毒性的物质,需要注意使用安全及自身防护。

碱性水溶液去胶液AR 300-73 可加热至 50 °C,特别适用于加热至 200 °C 的酚醛树脂型电子束光刻胶。然而,需要注意该显影也对铝表面有腐蚀作用。

对于加热至 200 °C 的电子束光刻胶薄膜(酚醛树脂胶除外),我们通常推荐除胶剂 AR 600-71,它可以在室温下高效地工作。该产品特别适用于需要使用低闪点去胶液的客户。

-详情见除胶剂产品资料

在半导体工业中,除胶过程(扫胶)主要是等离子体去胶机中灰化来进行的。由微波激发产生的O2 等离子体用于光刻胶的各向同性去胶。也可使用湿法化学除胶工艺,利用氧化性酸混合物(食人鱼溶液、硝基盐酸、硝酸等)来实现。

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