9. 电子束光刻胶的抗等离子体刻蚀性有多高?

AR-P  6xx(x)和AR-N/P 7000系列的电子束光刻胶在干法刻蚀工艺(例如氩和CF4)中显示出截然不同的抗刻蚀特性。基于酚醛树脂的电子束光刻胶具有高刻蚀稳定性,而PMMA 明显抗刻蚀性能更差。CSAR 62具有与基于酚醛树脂的电子束光刻胶类似的高刻蚀稳定性。在刻蚀工艺之前,在110 °C下坚膜处理可以使光刻胶分子再次稳定有助于略微增加刻蚀稳定性。光刻胶刻蚀速率高度依赖于各自的条件。除了使用的刻蚀设备(等离子刻蚀机)外,刻蚀速率还受刻蚀气体成分、压力、温度和偏压的影响。

我们的电子束光刻胶在5 Pa和240 – 250 V偏压下刻蚀速率(nm/min)如下:

光刻胶 AR-P 6xx(x) AR-P/N 7000
氩气溅射 10 – 22 nm/min 8 – 9 nm/min
CF4 51 – 61 nm/min 33 – 41 nm/min
80 CF4 + 16 O2 116 – 169 nm/min 89 – 90 nm/min
O2 -等离子体 173 – 350 nm/min 168 – 170 nm/min

保守的等离子体刻蚀工艺(低气压和低电压)会使得光刻胶的抗刻蚀性更高,但刻蚀工艺本身需要更多时间。刻蚀过程中的冷却同样提高了抗刻蚀性。如果光刻胶刻蚀条件太苛刻(例如温度太高),可能会给后续去胶步骤带来更大的问题。

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