图形反转胶AR-U 4000正胶工艺

与常规紫外正胶一样,图形反转胶可用作普通正性光刻胶使用。由于这种光刻胶其特定的组成部分而具有交联的潜力,因此建议只能在前烘时使用85°C(烘箱)或90°C(热板)进行。为了产生垂直光刻胶侧壁,必须选择相对较高的曝光剂量。如果需要带有倾斜侧壁的沟槽(例如60°角,顶切结构),则图形的曝光剂量必须大大减少,在正胶工艺中不可能得到底切结构。

在紫外曝光过程中,碱不溶性的萘醌二叠胺(NCDs)转化为碱溶性茚甲酸衍生物,然后在显影过程中与同样碱溶性的酚酸一起被除去。高曝光剂量保证了NCDs在整个层的完全光分解。由于高而持续的显影速度,产生了垂直侧壁的结构。由于这些短曝光时间,较低的光刻胶层不完全曝光,因此显影速度从上向下减慢,并产生一个倾斜侧壁结构(顶切结构)。

注:如果进行泛曝光和在95-105°C进行烘烤,可以显著提高正性显影结构的温度稳定性。

图1 AR-U 4040胶在正胶工艺下获得1um的结构,胶厚为1.4 μm

图形反转胶概述:

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