电子束光刻胶的工艺流程

PMMA胶的显影

PMMA薄膜只能用有机溶剂型显影液显影。水性碱性显影液对于PMMA无效,它不会腐蚀PMMA ,PMMA甚至在强碱性溶液中可以用作保护涂层(→保护涂层AR-PC 503和AR-PC 504用于KOH蚀刻)。

对于PMMA电子束光刻的标准工艺条件,推荐使用MIBK和异丙醇组成的显影液。两种浓度的配方可供选择:MIBK:IPA=1:3(AR 600-56)以及MIBK:IPA=2:3(AR 600-55)。AR 600-55是更强的显影液,这意味着相同曝光条件的PMMA层显影速度更快。较弱的AR 600-56提供稍高的对比度。

在这个电子束胶显影过程中,显影液是是多种多样的。一些用户更喜欢纯MIBK的模式,这是一个快速的显影过程,但需要谨慎的调试工艺。由于反应速度快,工艺窗口很窄。相反,电子束操作员越来越多地使用纯异丙醇作为显影液,在少数情况下甚至是异丙醇-水混合物。尽管在这种情况下,显影时间缩短了,与正常显影相比,灵敏度仅略微降低(2 – 3倍)。另一方面,通过这些方法可以获得更大的过程窗口。2倍的用量差异对结构质量几乎没有影响。在更快的显影的情况下,仅10%的偏差可能会产生重大偏差。因此,IPA显影液特别适用于高分辨率结构的获得。例如,用AR – P 671.02和IPA作为显影液,获得6.2 nm的纽带形结构(见图):

使用65 nm的胶厚,获得6.2 nm的间隙结构,深宽比为10

基本工艺信息概述:

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