保护胶AR-PC 5040

用于硅片晶圆正面湿法深刻蚀时背面保护胶

产品特点

  • 对于波长>300nm的光线不感光,无需黄光室
  • 硅片蚀刻正面时对晶圆背面保护
  • 在晶圆运输和转移过程中提供可靠的机械保护
  • 热稳定性高达250℃
  • 主要成分是不同相对分子质量的PMMA,503为加入染色处理
  • 安全溶剂 苯甲醚

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产品信息

膜厚/4000 rpm 2.8 µm
最佳分辨率 N/A
对比度 N/A
闪电 42℃
6个月存储温度(°C) 18-25°C

包装规格

  • 1 x 100毫升(实验样品)
  • 1 x 250毫升
  • 1 x 1000毫升
  • 6 x 1000毫升
  • 如果您有其他要求,请随时联系我们!

实用案例

AR-P 5040保护涂层覆盖敏感结构

旋涂曲线

配套试剂

全部 4 /300-12 0 /300-26 0 /300-35 0 /300-44 0 /300-46 0 /300-47 0 /300-475 0 /300-70 0 /300-72 0 /300-73 0 /300-76 1 /300-80 1 /600-02 1 /600-07 0 /600-09 0 /600-50 0 /600-51 0 /600-546 0 /600-548 0 /600-549 0 /600-55 0 /600-56 0 /600-60 0 /600-61 0 /600-70 0 /600-71 1 /Allresist 0 /AR 300-12 0 /AR 300-26 0 /AR 300-44 0 /AR 300-46 0 /AR 300-47 0 /AR 300-72 0 /AR 300-73 0 /AR 300-76 0 /AR 300-80 0 /AR 400-47 0 /AR 600-01 0 /AR 600-02 0 /AR 600-07 0 /AR 600-09 0 /AR 600-50 0 /AR 600-51 0 /AR 600-546 0 /AR 600-548 0 /AR 600-549 0 /AR 600-55 0 /AR 600-56 0 /AR 600-60 0 /AR 600-61 0 /AR 600-71 0 /AR-BR 5400 0 /AR-N 2210 0 /AR-N 2220 0 /AR-N 2230 0 /AR-N 4200 0 /AR-N 4300 0 /AR-N 4400 0 /AR-N 4400-25 0 /AR-N 4400-50 0 /AR-N 4450 0 /AR-N 4600 0 /AR-N 7500 0 /AR-N 7520 0 /AR-N 7520 new 0 /AR-N 7700 0 /AR-N 7720 0 /AR-P 1200 0 /AR-P 3100 0 /AR-P 3200 0 /AR-P 3500 0 /AR-P 3500T 0 /AR-P 3700 0 /AR-P 3800 0 /AR-P 5300 0 /AR-P 5900 0 /AR-P 617 0 /AR-P 6200 0 /AR-P 631-671 0 /AR-P 632-672 0 /AR-P 639-679 0 /AR-P 6500 0 /AR-P 7400 0 /AR-P 8100 0 /AR-PC 500 0 /AR-PC 5000 0 /AR-U 4000 0 /BOE工艺 0 /CAR 0 /CSAR62 0 /DNQ 0 /HMD-S 0 /HMDS 0 /HSQ 0 /LOL 0 /LOR 0 /NEP 0 /NMP 0 /PMMA 0 /PPA 0 /SX AR-N 4340-7 0 /SX AR-N 7530-1 0 /SX AR-N 7730-1 0 /SX AR-N 8200-1 0 /SX AR-P 3500-6 0 /SX AR-P 3500-8 0 /SX AR-P 3740-4 0 /SX AR-PC 5000/41 0 /SX AR-PC 5000/80.2 0 /SX AR-PC 5000/82.7 0 /T-gate 0 /TMAH 0 /undercut 0 /UV固化 0 /X AR-N 7700/30 0 /X AR-P 3220/7 0 /X AR-P 5900/4 0 /X射线曝光 0 /三层胶体系 0 /三层胶系统 0 /二维材料 0 /交联 0 /交联剂 0 /保存 0 /保存条件 0 /保护胶 0 /充电效应 0 /光引发剂 0 /光敏物质 0 /刻蚀技术 0 /刻蚀稳定性 0 /刻蚀速率 0 /前烘 0 /剥离工艺 0 /剥离液 0 /剥离胶 0 /剥离胶底胶 0 /助粘 0 /化学刻蚀 0 /化学放大 0 /化学放大胶 0 /厚胶 0 /去胶剂 0 /去胶液 0 /去边珠 0 /双层lift-off 0 /双层剥离 0 /双层胶 0 /双层胶体系 0 /双层胶系统 0 /反应离子刻蚀 0 /同步辐射曝光 0 /喷涂 0 /喷涂胶 0 /喷淋式显影 0 /四甲基氢氧化铵 0 /图形反转胶 0 /增附 0 /增附剂 0 /增附处理 0 /存储 0 /定影 0 /定影液 0 /对比度 0 /导电胶 0 /寿命 0 /干法刻蚀 0 /干涉光刻 0 /庆祝 0 /底切 0 /底胶 0 /微纳3D结构 0 /打底胶 0 /投影式曝光 0 /抗刻蚀性 0 /接触式曝光 0 /接触角 0 /接近式曝光 0 /掩膜版制造 0 /搅拌式显影 0 /旋涂 0 /显影 0 /显影液 0 /暗腐蚀 0 /曝光剂量 0 /最佳分辨率 0 /材料转移 0 /极限分辨率 0 /染料 0 /欠烘烤 0 /正性光刻胶 0 /正胶 0 /正胶工艺 0 /残胶 0 /气泡 0 /氧等离子体 0 /氧等离子体去胶机 0 /水汽 0 /水溶性显影液 0 /泛曝光 0 /洗边胶 0 /浸没式显影 0 /浸没式曝光 0 /浸涂 0 /深紫外胶 0 /混合光刻 0 /清洗 0 /清零剂量 0 /温度 0 /温胶 0 /湿法刻蚀 0 /溶剂 0 /溶剂型显影液 0 /溶剂耐受性 0 /漂胶 0 /激光直写 0 /灰度光刻 0 /灰度曝光 0 /灵敏度 0 /热回流 0 /热探针光刻 0 /热稳定胶 0 /热针尖光刻 0 /物理轰击 0 /电子束光刻胶 0 /电子束正胶 0 /电子束负胶 0 /电导率 0 /疏水 0 /石墨烯 0 /硬烘烤 0 /碱性显影液 0 /稀释 0 /稀释剂 0 /稀释比 0 /稳定性 0 /空气湿度 0 /等离子刻蚀 0 /等离子清洗 0 /粘附性 0 /紫外光刻胶 0 /老化 0 /耐刻蚀 0 /耐有机溶剂 0 /耐酸碱 0 /耐酸腐蚀性 0 /耐高温 0 /联级显影 0 /聚合物 0 /聚酰亚胺 0 /聚酰亚胺胶 0 /荷电效应 0 /薄胶 0 /蚀刻 0 /衍射光学 0 /表面活性剂 0 /裂纹 0 /负胶 0 /超声清洗 0 /辊涂 0 /过烘烤 0 /酚醛树脂 0 /酚醛树脂电子束光刻胶 0 /酸化剂 0 /酸碱保护 0 /铝结构 0 /除胶剂 0 /除胶液 0 /非化学放大胶 0 /非金属离子显影液 0 /顶切 0 /驻波效应 0 /高分辨率 0 /高对比度 0 /高灵敏度 0 /黄光 0

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