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我们将其分为六大主题“基本信息、电子束光刻胶、紫外光刻胶、保护胶、底胶和配套试剂”，以便您快速找到您所需要的信息。
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铝结构直接显影
铝结构的制造通常涉及光刻胶掩模的生产以及随后的湿化学蚀刻。如果使用SX AR-N 4360/1紫外负胶常用于此应用，则可以使用更简单的直接显影工艺。这种对碱性显影剂具有极高耐受性的光刻胶直接旋涂在铝薄膜上，然后进行常规的烘烤、曝光和显影步骤。作为显影液，使用浓缩的无金属离子显影液AR 300-44。在去除曝光的光刻胶层后，显影液会腐蚀暴露的铝区域。厚度为 100 nm 的铝膜在两分钟内可被去除。在后续简单的去胶工艺后，所需的铝结构仍然完好保存下来形成铝结构。
2022年4月7日/通过： allresist_cn聚合物（成膜剂）
聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 广泛用于例如电子束光刻。PMMA 是通过甲基丙烯酸酯在自由基引发剂的存在下聚合生产的。PMMA 层对硅、玻璃和大多数金属具有非常好的附着力。
2022年4月14日/通过： allresist_cn紫外固化
标准光刻胶结构具有 115 – 130 °C 的软化点。在随后的热处理过程中（等离子蚀刻、溅射或其他工艺），很容易超过这些温度。特别是较厚的光刻胶膜结构在这些条件下会熔化并一起流动。
2022年4月28日/通过： allresist_cn紫外光刻胶成分
光刻胶在微电子学和微系统技术中被广泛应用于制备微米级和亚微米级结构。Allresist涵盖了广泛的光刻胶类型，适用于多种应用。紫外正性光刻胶（紫外正胶）Allresist生产的正性光刻胶由成膜剂(如甲酚酚醛树脂)和光敏物质(如萘醌二叠胺)溶解在(如甲氧基丙基乙酸酯(PGMEA))溶剂中混合而成。
紫外负性光刻胶（紫外负胶）对于负性光刻胶的生产，还需要酚醛双氮化剂，酸化剂和氨基化合物溶解在适当的溶剂中(例如甲氧基丙基乙酸酯)。
2022年3月24日/通过： lisongkun紫外负性光刻胶（紫外负胶）对于负性光刻胶的生产，还需要酚醛双氮化剂，酸化剂和氨基化合物溶解在适当的溶剂中(例如甲氧基丙基乙酸酯)。
电子束光刻胶的工艺流程
PMMA薄膜只能用有机溶剂型显影液显影。水性碱性显影液对于PMMA无效，它不会腐蚀PMMA ，PMMA甚至在强碱性溶液中可以用作保护涂层(→保护涂层AR-PC 503和AR-PC 504用于KOH蚀刻)。对于PMMA电子束光刻的标准工艺条件，推荐使用MIBK和异丙醇组成的显影液。两种浓度的配方可供选择：MIBK：IPA=1:3（AR 600-56）以及MIBK：IPA=2:3(AR 600-55)。AR 600-55是更强的显影液，这意味着相同曝光条件的PMMA层显影速度更快。较弱的AR 600-56提供稍高的对比度。
2022年3月24日/通过： lisongkun曝光
在研究和生产中我们常见的紫外曝光有以下几种，其特点决定了其产生图形的分辨率，同是也决定了其应用领域，以下我们简要介绍一下各种曝光方式的特点
2022年4月28日/通过： allresist_cn干涉光刻
干涉光刻是一种不太常用的图案化方法。基本原理与干涉或全息技术相同。两个或多个相干光波的叠加产生由一系列干涉相消和干涉相长（叠加或消光）组成的周期性干涉图案，然后可以将其转移到感光薄膜（光刻胶）中。
2022年4月28日/通过： allresist_cn化学湿法刻蚀
在化学湿法蚀刻中，待处理材料的化学键被大多数腐蚀性蚀刻介质裂解并转化为可溶性物质。因此，湿化学蚀刻程序对保护性光刻胶层提出了非常高的要求。决定性的工艺参数除了选择合适的光刻胶外，还包括蚀刻介质本身、蚀刻步骤的持续时间和蚀刻温度（决定反应速度）。
2022年4月28日/通过： allresist_cn化学干法刻蚀
等离子体干法刻蚀根据其原理可以分为两种：化学反应刻蚀和物理轰击刻蚀，两种反应原理单独或组合用于干化学蚀刻程序。
2022年4月28日/通过： allresist_cn剥离（单层 – 双层）
加工获得金属导电电极或者结构的主要有两种：刻蚀技术和剥离工艺，其中剥离工艺相对比较简单，但是对光刻胶厚度与电极厚度之间需要满足一些经验参数。
2022年4月28日/通过： allresist_cn光敏物质
我们的正性光刻胶的光敏成分属于萘醌二叠氮化物 (NQD) 组。向甲酚树脂（酚醛树脂）中添加 NQD 衍生物会引起化学反应，导致形成萘醌二叠氮酯，其碱溶解度降低了约两个数量级。
2022年4月14日/通过： allresist_cn光刻胶膜的稳定/硬化
在面对用户各种各样的应用需要时，我们往往需要结构化的光刻胶结构具有较好的稳定性，因为我们可以利用随后的硬化步骤后，这种结构可以实现对有机溶剂的长期稳定性。基于酚醛树脂的光刻胶在 > 150 °C 的温度下烘烤数小时后，对甲苯、丙酮、IPA、PMA 或 NEP 等有机溶剂表现出相当大的稳定性。
2022年4月28日/通过： allresist_cn光刻胶的原理与作用
在碱溶性酚醛树脂中添加光活性化合物（PAC、二叠氮萘醌 (NQD)）会降低光刻胶薄膜的碱溶性。酚醛树脂的碱溶性 OH 基团被 NQD 阻断（抑制效应），因此碱性显影液无法攻击。
2022年4月14日/通过： allresist_cn光刻胶中的其他成分
溶剂是所有光刻胶的主要成分，溶剂含量从 50%（厚胶）到高达 99%（喷涂胶）不等。1980 年之前开发的第一批光刻胶仍然含有对健康有害的溶剂甲苯或环己酮。
2022年4月14日/通过： allresist_cn光刻工艺流程
当使用新的清洁衬底（晶圆）时，在~ 200 °C 下加热几分钟（2-3 分钟，热板）使得晶圆表面干燥。然后应快速处理衬底。否则应置于干燥器中临时储存以防止再次吸水。有机污染的或预先使用过的晶圆需要先进行清洁步骤，在简单清洗步骤为先在丙酮中进行，然后进行异丙醇或乙醇处理然后干燥，该程序可提高光刻胶的粘附性。不能只使用丙酮清洗，因为丙酮在蒸发过程中产生的冷却效果会导致晶片上的空气水汽再次沉积在样品表面。如果特定技术需要在不同环境条件下重复处理晶圆，建议进行彻底清洁。清洁程序强烈依赖于基材（包括已应用的结构）和工艺。在随后的冲洗和干燥步骤（见第一部分）中使用去胶剂或酸（例如食人鱼）可能是必要的步骤。必要的时候需要配合使用超声清洗。
2022年4月6日/通过： allresist_cn保存和老化
光刻胶是光敏性的，它们的性质会在光照或高温下发生变化。它会在储存过程中发生老化，因此光刻胶必须装在避光的棕色玻璃瓶中，冷藏储存，其处理过程也只能在黄光（λ > 500 nm）下进行。产品的有效期和建议的储存温度均在各自的产品标签上注明。如果保持在这些温度下，未开封的光刻胶会在质保期内（通常是生产后 2 年，视产品而定）是稳定的，且至少在销售日期后 6 个月不会产生质量问题。
2022年4月6日/通过： allresist_cn交联剂
负性光刻胶的图案化是基于在交联剂存在下曝光区域的稳定性而产生的。活性的引发剂，例如偶氮二（异丁腈）（AIBN）或过氧化二苯甲酰（DBDO），在加热或暴露于 < 300nm 的短波长光时形成反应性自由基，由于引发的链式反应，导致聚合物基质的交联。这导致在有机显影液（例如 MIBK 显影剂）中的溶解度较低，因此曝光区域在显影后仍然保留下来。
2022年4月14日/通过： allresist_cn聚酰亚胺双层胶系统
在某些特定的应用中，最好保持聚合物的原始特性不变，例如不添加光敏感物质，例如用作水分传感器。在这种情况下，纯聚酰亚胺光刻胶(SX AR-P 5000/80)的图案可以使用类似于AR-P 5400 / AR-P 3500的双层胶系统。
2022年4月15日/通过： allresist_cn图形反转胶AR-U 4000正胶工艺
与常规紫外正胶一样，图形反转胶可用作普通正性光刻胶使用。由于这种光刻胶其特定的组成部分而具有交联的潜力，因此建议只能在前烘时使用85°C(烘箱)或90°C(热板)进行。为了产生垂直光刻胶侧壁，必须选择相对较高的曝光剂量。
2022年4月15日/通过： allresist_cn单层聚酰亚胺正胶
聚酰亚胺是由四羧基二酐和二胺缩聚而成。只有在聚合物链中含有芳香族结构块的聚酰亚胺是具有最高的热应变性能。由于它们的不溶性和极高或没有熔点，这些聚合物不能以液体形式加工。
2022年4月15日/通过： allresist_cn9.光刻胶如何曝光，最佳曝光剂量如何确定？在曝光之前，涂胶的样品和曝光后的样品可以储存多长时间？
在适当的光谱工作范围内使用掩模在适当的曝光系统中进行曝光，例如步进式光刻机（i-、g-线）、掩模对准式光刻机或接触式光刻机。在使用激光直写曝光设备时，使用激光束直接写入结构，因此不需要掩膜版。
2022年5月5日/通过： allresist_cn8.光刻胶匀胶后的前烘有什么作用？
在光刻胶之后，光刻胶膜中仍含有大量残留溶剂，这取决于相应的膜厚度。随后在 90 – 100 °C 下进行烘烤步骤，以干燥否则光刻胶会粘在掩模板上。此外，在前烘步骤中，光刻胶层会硬化，使其稳定性更高。除了光刻胶和衬底粘附性的改善外，显影步骤期间的暗腐蚀也会减少。
2022年5月4日/通过： allresist_cn7.为什么光刻胶膜会产生气泡，如何避免？
匀胶后出现气泡 在大多数情况下是气泡，例如，如果光刻胶瓶被搅动或晃动，或者如果光刻胶在涂布步骤之前被稀释。开瓶后立即进行涂叫，特别是光刻胶保存在冰箱中并未回恢复至温度，也可能导致气泡的形成。
2022年5月4日/通过： allresist_cn6.为了获得良好的薄膜图形，光刻胶的最佳涂胶参数是什么？
光刻胶（也称为光阻层）主要用于微电子和微系统技术，用于生产微米和亚微米结构。这些光刻胶通常通过旋涂来成膜。对于薄胶（5um），最佳旋转速度在 800 – 2000 rpm（rpm = 每分钟转数）之间。
2022年5月4日/通过： allresist_cn5.光刻胶在不同晶圆上的粘附性能如何？
光刻胶和衬底材料之间的附着力是一个非常敏感的问题。清洗工艺或工艺参数的极小的变化会对粘附性产生致命影响。二氧化硅、氮化硅和贱金属（如铝、铜）通常表现出良好的光刻胶粘附性能，
2022年5月4日/通过： allresist_cn4. 紫外光刻前衬底的最佳预处理措施
衬底和光刻胶之间的附着力对于后续光刻工艺至关重要。清洁工艺或技术本身的极小的变化都会对粘附强度产生重大影响。硅、氮化硅和贱金属（铝、铜）通常具有良好的光刻胶粘附性能，而在 SiO 2上的粘附力会降低、玻璃、贵金属如金和银或砷化镓。对于这些衬底，必须进行增附处理来提高粘附强度。过高的空气湿度 (> 60 %) 也会显着降低附着力。如果使用新的清洁基板（晶圆），在大约 200 °C 分钟（3 分钟，热板）下烘烤则可以有效干燥样品表面，但之后应快速处理衬底。强烈建议在干燥器中临时储存，以防止再次吸附水汽。
2022年5月4日/通过： allresist_cn3.与寿命相关的变化会如何影响光刻胶的质量?
在储存期间，由于光敏物质与酚醛树脂的热化学反应，产生红色偶氮染料，导致光刻胶颜色加深。即使是少量的染料也会导致颜色加深，但对一般的光刻胶性能没有显著的影响。
2022年4月15日/通过： allresist_cn2.紫外光刻胶能够稳定保存多久，最佳的保存条件是什么？
紫外光刻胶是光敏感产品，它们受光照和温度的影响，在储存过程中也会发生与寿命相关的变化。因此，光刻胶需要装在棕色玻璃试剂瓶中，在阴凉的地方保存，并只能在黄光(λ > 500 nm)下进行处理。
2022年4月15日/通过： allresist_cn11.光刻胶胶层如何去除？
在实际生产中，由于各种原因（如衬底不干净，涂胶出现颗粒污染或者气泡等），需要进行返工，及去除涂胶烘烤后的光刻胶层。对于前烘（软烘）后的光刻胶层的去除，可以使用极性溶剂，例如相应的光刻胶稀释剂AR 300-12（乙酸甲氧基丙酯=PGMEA）和去除剂AR 600-70（基于丙酮）。去胶液 AR 600-70 也是最常用的。
2022年5月5日/通过： allresist_cn10.光刻胶如何选择最佳显影液，显影液浓度和温度等因素对显影结果有何影响？
在显影过程中，正胶是通过去除曝光区域的光刻胶来获得结构，而如果使用负胶，则去除未曝光区域。为了获得可重复的结果， 强烈建议温度在 21 和 23 °C 0.5 °C 之间进行。
2022年5月5日/通过： allresist_cn1. 紫外光刻胶的组成和工作原理？
光刻胶 是微电子和MEMS技术中的重要物料之一，用于制造微米和亚微米结构。Allresist 提供范围丰富的光刻胶种类满足不同的需求，涵盖广泛的应用：
2022年4月7日/通过： allresist_cn高分辨率电子束负胶
随着电子束光刻技术的发展，迫切需要一种分辨率约为30 nm的工艺稳定并且具有足够灵敏度的电子束光刻胶，以加速电子束光刻技术的进步。化学放大电子束光刻胶可以满足对高灵敏度的所有要求，但目前仅实现 > 100 nm的分辨率。PMMA光刻胶和非化学放大电子束光刻胶（例如AR-N 7500或AR-N 7520）有可能达到 < 30 nm的分辨率，但这些光刻胶不够灵敏，其直写时间是的其应用的写入时间成本较高。
2022年4月1日/通过： allresist_cn适用于蚀刻应用的高分辨率电子束负胶 AR-N 7520.17new
在法国的 FEMTO-ST 研究所，使用 AR-7520.17new 在 400nm 的厚度下实现了非常均匀和光滑的 300nm 线条。在接下来的蚀刻应用中，光刻胶图形可以以优异的质量转移到 Si 衬底中。由于使用的等离子体（ICP，SF6:C4F8）具有良好的抗蚀刻性，因此可以实现 12:1 的选择性。
2022年4月1日/通过： allresist_cn电子束光刻胶用于衍射光学元件加工
Allresist设计了一种电子束光刻胶，可根据所使用的相应曝光剂量产生三维光刻胶轮廓。对于以常规的图案化为目的的曝光，光刻胶只能得到二维轮廓。光刻胶层呈现出要么完全保留，要么完全去除，而光刻胶膜的高度或多或少与结构无关。然而，如果需要将阶梯状结构转移到衬底中，例如在衍射光学中，光刻胶必须针对不同的曝光剂量做出响应。所有常规光刻胶的这种类似“数字化”特性都经过优化以提供尽可能获得高的对比度，以实现最大的分辨率。这导致较小的剂量差异无法在光刻中呈现出差异。我们可以认为这种图案化类似黑白照片。然而，为了获得三维结构，还需要灰色特征。因此，我们优化了AR-N 7700产品，一种化学放大的电子束负胶。
2022年4月1日/通过： allresist_cn化学放大、高灵敏度负电子束光刻胶 SX AR-N 7730/37
SX AR-N 7730/37是一款全新的化学放大（CAR）电子束光刻胶产品。这种光刻胶具有非常高的灵敏度，同时具有很高的工艺稳定性。因此可以显著提高溶液和胶层的稳定性。前段时间，我们报道了高灵敏度电子束光刻胶SX AR-N 7700/37的开发。过去的一个问题是分辨率太低，只有300 nm。现在分辨率已得到显著提高，同时保留所有其他优点。
2022年4月1日/通过： allresist_cn9. 电子束光刻胶的抗等离子体刻蚀性有多高？
AR-P 6xx(x)和AR-N/P 7000系列的电子束光刻胶在干法刻蚀工艺（例如氩和CF4）中显示出截然不同的抗刻蚀特性。基于酚醛树脂的电子束光刻胶具有高刻蚀稳定性，而PMMA 明显抗刻蚀性能更差。CSAR 62具有与基于酚醛树脂的电子束光刻胶类似的高刻蚀稳定性。在刻蚀工艺之前，在110 °C下坚膜处理可以使光刻胶分子再次稳定有助于略微增加刻蚀稳定性。光刻胶刻蚀速率高度依赖于各自的条件。除了使用的刻蚀设备（等离子刻蚀机）外，刻蚀速率还受刻蚀气体成分、压力、温度和偏压的影响。
2022年3月31日/通过： allresist_cn8. 电子束光刻胶能实现多高的分辨率？
对于光刻胶可实现的最佳分辨率，纯粹的学术上的分辨率值和工业上可使用的值是两个完全不同的概念。理论上，电子束胶可以实现最佳2 nm的分辨率（高斯束）。使用CSAR62 电子束光刻胶，可以在80 nm的膜厚下实现 6 nm的线条；薄膜厚度为180 nm时分辨率可高达10 nm。
2022年3月31日/通过： allresist_cn7. 如何再次去除电子束光刻胶膜？
使用极性溶剂可以有效去除在较低温度下烘烤（软烘烤）后的所有电子束光刻胶，例如使用推荐的稀释剂 AR 300-12 或 AR 600-01、600-07 和 600-09，以及除胶剂 AR 600-70（丙酮基）。AR 600-70 也是以去胶为目的最常用的去胶液。
2022年3月31日/通过： allresist_cn6. 电子束光刻胶如何选择合适的显影液，显影液浓度和温度等因素对显影结果有何影响？
在显影过程中，正胶的胶膜的曝光区域将被去除从而实现图形化。而负胶，未曝光区域被去除从而实现图形化。为了实现可重复的结果，强烈推荐对有机溶剂显影液（AR 600-50，-50，-56） 显影过程的温度应为21-23℃±0.5℃，对水溶性碱显影剂（AR 300-26， -35, -40）显影过程的温度应为21-23℃±0.5℃。显影液AR 600-50：一种溶剂型显影液，专为聚合物电子束胶 (AR-P 617) 设计。使用该显影液，可提高电子束光刻胶的灵敏度。
2022年3月31日/通过： allresist_cn5. 电子束光刻胶如何曝光，如何确定最佳曝光剂量？
电子束光刻胶在使用波长非常短的电子束曝光设备，可以获得高达 2 nm 的优异分辨率（高斯束）。电子束曝光通常是使用基于高斯束直写或变形束工作原理的传统电子束光刻设备来进行的。
对于AR-N/P 7000 光刻胶产品线，通常也可用于混合光刻工艺，即可以在相应的紫外光谱工作范围内使用 i-、g-线步进投影式光刻机或者接触式曝光机进行额外的曝光。
2022年3月31日/通过： allresist_cn对于AR-N/P 7000 光刻胶产品线，通常也可用于混合光刻工艺，即可以在相应的紫外光谱工作范围内使用 i-、g-线步进投影式光刻机或者接触式曝光机进行额外的曝光。
4.电子束光刻胶对不同晶圆的粘附性强度有多高？
衬底和光刻胶之间的粘附性是紫外光刻胶的一个敏感特征，电子束光刻胶也是如此。相比于与 AR-N/P 7000 产品线来说，电子束光刻胶PMMA、聚合物和苯乙烯丙烯酸酯光刻胶明显不太容易出现粘附差的问题。而电子束胶AR-N/P 7000 产品线在衬底清洗过程或其他参数的很小的变化可能会让光刻胶和衬底的粘附强度产生致命影响。
2022年3月31日/通过： allresist_cn3.电子束光刻胶应用中衬底的最佳预处理方法是什么？
如果使用新的且干净的衬底（如硅片），在~ 200 °C 下烘烤几分钟就可以有效去除衬底表面的水汽，但随后必须快速进行后续工艺处理。强烈建议暂时存放在干燥器中，以防止样品表面再次吸水。使用过的样品或被有机试剂污染的晶片需要预先进行清洁步骤，例如，在一般情况下，使用丙酮和随后的异丙醇或乙醇处理依次清洗，然后烘烤即可。
2022年3月30日/通过： allresist_cn2.电子束光刻胶能够保存多长时间，最佳存储条件是什么？
PMMA，聚合物和苯乙烯丙烯酸酯的光刻胶在可见紫外线范围（>300nm）内不感光；因此，它们不会对白光产生反应（不需要黄光），并且对温度的敏感性远低于基于酚醛树脂的光刻胶。因此，这些光刻胶只会缓慢老化。典型的与时间相关的变化是光刻胶的缓慢增稠，但这种变化对质量没有负面影响。在这种情况下，获得的胶膜往往会稍微厚一些，我们可以在旋涂的过程中轻松进行修正。
2022年3月30日/通过： allresist_cn11. 电子束光刻胶膜在溶剂中的耐受性有多高？
就所使用的原材料而言，电子束光刻胶分为四种不同的类别：PMMA- 光刻胶 (AR-P 6xx(x)，CSAR 62，酚醛树脂基电子束胶 (AR-N/P 7000)，Electra 92导电胶。一般情况下，随着烘烤或工艺温度的升高，光刻胶膜的溶解性降低，从而导致去除问题越来越大。在高于 200 °C 的温度下烘烤后，光刻胶在大多数溶剂中呈惰性。只有除胶剂 AR 300-70、300-72 (NMP) 和AR 300-73（TMAH，碱性水溶液）仍会导致薄膜溶胀，并且在某些情况下能够去除胶层。
2022年3月31日/通过： allresist_cn10. 电子束光刻胶在强酸下的抗腐蚀性有多高？
高浓度氧化性的酸（硫酸、硝酸、王水 1）、食人鱼液 2） ） 在室温下会侵蚀光刻胶，通常被用作难去除光刻胶结构的去胶液。遇到这些试剂，酚醛树脂光刻胶很容易被去除掉， PMMA光刻胶则开始膨胀，然后缓慢去除。用去离子水对氧化酸进行适度稀释，可以减弱这种酸性溶液的侵蚀。相反，即使在高浓度的非氧化性酸（盐酸、氢氟酸）中光刻胶也可完好保存下来。
2022年3月31日/通过： allresist_cn1.电子束光刻胶的成分是什么，它们的工作原理是什么？
电子束光刻胶（电子束光阻或电子束抗蚀剂）：用于电子束和深紫外光源应用于集成电路制造、主要用于掩模制造的光刻胶。这些光刻胶通常的膜厚度值为200至500 nm之间并在掩模及晶圆上实现100至500 nm的结构。
电子束光刻胶还用于电子束直写多层胶工艺中。这些通常是薄胶
2022年3月23日/通过： lisongkun电子束光刻胶还用于电子束直写多层胶工艺中。这些通常是薄胶
黑色保护胶–用于HF和KOH蚀刻应用保护胶
Allresist 为HF和KOH蚀刻应用提供保护涂层 SX AR-PC 5000/40 已经有几年了历史了。5 μm的胶层能够承受 48% 的氢氟酸溶液高达数小时。用于硅蚀刻的40% 的KOH溶液也不会腐蚀该胶层。然而，保护胶的温度稳定性并不是特别高，在 65 °C 时，会开始熔化，这使得该保护胶不适用于 85 °C下的 KOH 蚀刻应用。
2022年4月7日/通过： allresist_cn玻璃上Electra 92电导率的测试
薄膜的电导率可以通过多种方法确定，例如通过非接触涡流映射或在直接接触后使用四点探针法（四点测量）。虽然绝对测量精度较低，但也非常适合这样的比较，使用简单的欧姆表（2 个接触点）进行直接测量。对于有意义和可重复的结果来说，足够好的接触是必要的。如果小于 100 nm 的层直接与测量尖端接触，则敏感的导电胶层很容易损坏。
2022年4月28日/通过： allresist_cn导电薄膜（导电胶）
在绝缘衬底上进行电子束光刻时，特别是在石英掩模或玻璃上，高能电子的冲击往往会引起强表面电荷。 电荷的消散速度不够快，就会产生表面电势。 因此，入射电子束会发生偏转，从而导致所需结构的畸变。我们称之为荷电效应或或者叫充电效应。
2022年4月15日/通过： allresist_cn双层剥离胶体系 – AR-P 617/AR-P 8100
基于苯甲醚溶剂的 PPA 胶可以涂覆在 PMMA co MA (AR-P 617)胶上。在这种情况下，两层胶叠加起来不会发生混合，这是实现 双层或者三层胶体系的决定性先决条件。
2022年4月7日/通过： allresist_cn以酚醛树脂胶作为底胶的双层电子束光刻胶系统
对于电子束光刻中的多胶层应用场景，Allresist 提供高度通用的底胶AR-BR 5460/5480产品。通过稍微改变软烘烤温度和显影液强度，可以很容易地调整底胶的显影速度。然而，在大多数情况下，这种去除速率（显影速率）对于非常薄的胶层来说还是太高了。因此，我们开发了另一种基于酚醛树脂的光刻胶。他与纯酚醛树脂层表现出非常相似的行为，但其显影速度可以通过调整前烘温度来调整。
2022年4月7日/通过： allresist_cn三层胶系统在T-型栅制造中的应用
原则上，制造 T- 型栅的三层胶系统的光刻胶搭配有多种形式。然而，在每种情况下，不同的光刻胶在旋涂过程中不发生互相混合是至关重要的，以确保连续且层次分明的胶层。AR-P 617可以毫无问题地涂覆在所有 PMMA（50k – 950k）上，因为光刻胶中的溶剂不会腐蚀 PMMA。反之亦然，AR-P 617上也可以旋涂以乳酸乙酯或苯甲醚为溶剂的 PMMA 电子束光刻胶。
2022年4月7日/通过： allresist_cnPPA胶在多层胶体系中的应用
基于苯甲醚的PPA 溶液旋涂在 PMMA（600k、950k）、PMMAcoMA（AR-P 617）以及底胶 AR-BR 5480（PMGI 的替代品）上。在上述情况下，每层胶叠加起来，几乎没有胶层的混合发生。因此，可以通过这些手段实现轮廓清晰的双层和三层胶体系。
2022年4月8日/通过： allresist_cn适用于铝衬底的碱性显影液
我们的一些客户通常会使用对碱液敏的铝衬底做光刻工艺。如果在此过程中为了使得铝衬底不被蚀刻，则可能会导致问题。我们的 MIF 显影液（AR 300-40 系列）和显影液 AR 300-26 都会强烈侵蚀铝表面，但如果使用显影液 AR 300-35，金属表面基本保持不变。
2022年4月8日/通过： allresist_cn适用于对碱液敏感衬底的显影液AR 300-35
在铝等碱敏感衬底上使用水溶性碱性显影液是有问题的，因为衬底在显影步骤中同样受到侵蚀。如果要在碱敏衬底上使用光刻胶，强烈建议使用显影液 AR 300-35。
2022年4月8日/通过： allresist_cn联级显影
为了获得得显影液的最佳性能和浸没显影期间高效性，我们推荐使用级联显影。通常我们的显影过程只在一个显影槽中进行。曝光的光刻胶区域完全溶解（对于正胶），聚合物会在这个过程中保留在显影液中，因此也连续消耗显影液。
2022年4月9日/通过： allresist_cn稀释剂
光刻胶主要由溶剂组成。大多数光刻胶和负性电子束光刻胶使用 PGMEA (PMA) 作为主要溶剂。因此，这种溶剂也是最常用的稀释剂，我们以 AR 300-12 为该类型稀释剂型号。PGMEA 通常也用于去边胶（请参阅如何消除边胶）
2022年4月8日/通过： allresist_cn显影液的老化失效
水溶性碱显影液由于会从空气中吸收 CO 2从而导致老化失效。在这方面，缓冲水碱性显影液（AR 300-26、-35）比含有 TMAH 的 AR 300-40 系列显影液更稳定。在这个系列中，TMAH 浓度的显影液最为敏感。
2022年4月8日/通过： allresist_cn显影工艺流程
显影液旨在去除正胶的曝光区域和负胶的未曝光区域，而不会留下任何残留物。理想情况下，晶圆的各个其他区域不受显影液的侵蚀并且保持与初始值相同的膜厚度。
2022年4月9日/通过： allresist_cn新型安全溶剂型去胶液AR 300-76
一款具有普遍适用的去胶液AR 300-76，其特点是与 AR 600-71 相比，闪点高得多，为 103°C。AR 300-76 是特别是作为含 NEP 的去胶液 AR 300-70 和 AR 300-72 的等效替代品
2022年4月9日/通过： allresist_cn定影液
经典意义上的定影液主要用于带有 PMMA 的电子束光刻胶。这些物质的作用是在曝光的 PMMA 薄膜显影后中断显影过程，并干净地冲洗掉含有残留 PMMA 的显影液。如果不使用定影液，受污染的显影液中的聚合物残留物可能会在烘烤步骤期间沉积在表面上。
2022年4月8日/通过： allresist_cn增附剂HMDS和二苯基硅烷二醇(AR 300-80)
光刻胶对不同衬底材料有着不同的粘附性能。许多基材如硅、氮化硅和贱金属（如铝、铜）通常表现出良好光刻胶粘附性能，然而光刻胶在 SiO2、玻璃、贵金属（如金和银）以及砷化镓上的粘附力较低。因此，绝对需要通过增附剂来提高粘附性。粘附性还取决于衬底的预处理（清洁）方法。为了确保形成均匀的光刻胶胶膜，在大多数情况下推荐使用增附剂。最常用的增附剂是 HMDS（六甲基二硅氮烷）、Ti-Prime 和二苯基硅烷二醇衍生物 (AR 300-80)。
2022年4月7日/通过： allresist_cn基于NMP去胶液的替代品
N-乙基-2-吡咯烷酮 (NEP) 对于光刻胶具有与 NMP 相当的甚至在某些情况下甚至更高的溶解能力。由于沸点较高，加热去除剂对健康的危害更小。Allresist 现在从产品系列中完全去除了基于 NMP 的产品，并用基于 NEP 的去胶液取代了这些产品。
2022年4月9日/通过： allresist_cn去胶液
去胶液的任务是在完成相应的技术工艺步骤（点蚀、蚀刻或其他）后完全溶解所有光刻胶结构或残留物。在光刻的早期，大多数强力去胶液被用于此目的。环保思想不像今天那样受到关注，DMF（二甲基甲酰胺）、DMSO（二甲基亚砜）或氨基醇等溶剂仍在使用中。今天的光刻胶制造商为提供对环境安全的去胶液做出了重大努力。
2022年4月9日/通过： allresist_cnPMMA co MA（AR-P 617,50kV）的新显影液
X AR 600-50/2 是一种新的、非常灵敏和高选择性的 AR-P 617显影液。即使在较长的显影时间下，暗腐蚀也非常低。PMMA 或 CSAR 62 的层不会受到攻击，这对于多层流程尤其重要。通过显影时间可以很好地调整灵敏度。
2022年4月11日/通过： allresist_cnCSAR 62电子束光刻胶（100kV）各种显影液的评估
为了评估各种显影液对 CSAR 62 电子束光刻胶的适用性，Lothar Hahn 博士（卡尔斯鲁厄理工学院 (KIT)，微结构技术研究所）提供了各种在暴 100 kV 电子（剂量变化）曝光后的样品。
2022年4月11日/通过： allresist_cnCSAR 62（AR-P 6200）显影液
对于曝光的 CSAR 62 光刻胶膜的显影，通常通过浸没显影方式进行，显影时间约为 30-60 秒，显影液 AR 600-546、600-548 和 600-549 非常适合。
2022年4月9日/通过： allresist_cnAR-P 617新显影液
我们的高灵敏度电子束光刻胶 AR-P 617 经常用于双层胶工艺，主要与 PMMA 结合使用，用于生产T-gate等剥离结构。通常必须确保两个胶层可以选择性地并且彼此独立地显影。尽管包含 MIBK 的显影液可用于此目的，但由于这些显影液对两个胶层都有腐蚀，因此工艺窗口相对较窄。
2022年4月11日/通过： allresist_cnAR-P 617其他新显影液
对于某些应用而言，通用型显影液有着明显的优势，即同时非常适合不同光刻胶系列的显影液。在这种情况下，多层胶体系可以使用一种显影液实现一步显影，而无需在两种显影液之间更换。
2022年4月8日/通过： allresist_cnAR-P 5320新显影液
在我们的产品信息中，我们推荐使用显影液 AR 300-26 来显影 AR-P 5320，这是我们用于剥离应用的正性光刻胶。然而，一些用户更喜欢与 MIF 显影液来处理。
2022年4月11日/通过： allresist_cnAR 300-80的粘附性能
为了防止光刻胶（如PMMA） 层从衬底上剥离，强烈建议使用增附剂。在旋涂光刻胶之前，在高温（如果可能 > 200°C）下对衬底进行烘烤处理对提高光刻胶和衬底的粘附性也是有帮助的。理想的烘烤后冷却步骤应在干燥器中快速进行。
2022年4月8日/通过： allresist_cnAR 300-80 new和接触角测量
除了使用 AR 300-80（基于二苯基硅烷二醇）外，其他含硅氧烷的化合物也可用于使样品表面的亲水性改变为疏水性。发生这种情况的先决条件是用于此目的的硅烷具有一个或两个能够与表面反应的反应性脱离基团。
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