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文章

9.光刻胶如何曝光,最佳曝光剂量如何确定?在曝光之前,涂胶的样品和曝光后的样品可以储存多长时间?

FAQ

在适当的光谱工作范围内使用掩模在适当的曝光系统中进行曝光,例如步进式光刻机(i-、g-线)、掩模对准式光刻机或接触式光刻机。在使用激光直写曝光设备时,使用激光束直接写入结构,因此不需要掩膜版。

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2022年5月5日/通过: allresist_cn
https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png 0 0 allresist_cn https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png allresist_cn2022-05-05 10:18:142022-05-05 10:18:169.光刻胶如何曝光,最佳曝光剂量如何确定?在曝光之前,涂胶的样品和曝光后的样品可以储存多长时间?

AR-P 617新显影液

显影液

我们的高灵敏度电子束光刻胶 AR-P 617 经常用于双层胶工艺,主要与 PMMA 结合使用,用于生产T-gate等剥离结构。通常必须确保两个胶层可以选择性地并且彼此独立地显影。尽管包含 MIBK 的显影液可用于此目的,但由于这些显影液对两个胶层都有腐蚀,因此工艺窗口相对较窄。

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点击数:13

2022年4月11日/0 评论/通过: allresist_cn
https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png 0 0 allresist_cn https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png allresist_cn2022-04-11 18:04:222022-04-11 18:04:24AR-P 617新显影液

5. 电子束光刻胶如何曝光,如何确定最佳曝光剂量?

FAQ

电子束光刻胶在使用波长非常短的电子束曝光设备,可以获得高达 2 nm 的优异分辨率(高斯束)。电子束曝光通常是使用基于高斯束直写或变形束工作原理的传统电子束光刻设备来进行的。
对于AR-N/P 7000 光刻胶产品线,通常也可用于混合光刻工艺,即可以在相应的紫外光谱工作范围内使用 i-、g-线步进投影式光刻机或者接触式曝光机进行额外的曝光。

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2022年3月31日/通过: allresist_cn
https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png 0 0 allresist_cn https://www.allresist.cn/wp-content/uploads/2021/01/logo_allresist_en-300x110.png allresist_cn2022-03-31 15:06:002022-04-01 11:37:465. 电子束光刻胶如何曝光,如何确定最佳曝光剂量?

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