电子束光刻胶（电子束光阻或电子束抗蚀剂）：用于电子束和深紫外光源应用于集成电路制造、主要用于掩模制造的光刻胶。这些光刻胶通常的膜厚度值为200至500 nm之间并在掩模及晶圆上实现100至500 nm的结构。

电子束光刻胶还用于电子束直写多层胶工艺中。这些通常是薄胶<100nm非常适合用于纳米光刻。通过工艺方案的优化，即使是在膜厚度为50 nm时，也可以获得厚度小于10 nm的结构。 它们的特点是对硅，玻璃和大多数金属具有很好的附着力。通过旋涂在6000至1000 rpm之间进行涂覆，可以获得厚度在20 nm至1.75 µm之间的薄膜。对于特殊的电子束应用，甚至可以达到10μm的膜厚值（AR-P 6510）。

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