AR-P 617其他新显影液

对于某些应用而言,通用型显影液有着明显的优势,即同时非常适合不同光刻胶系列的显影液。在这种情况下,多层胶体系可以使用一种显影液实现一步显影,而无需在两种显影液之间更换。

AR-P 617,胶厚:~1 µm,SB:10 分钟,200 °C,50 kV,不同显影液及显影时间下剂量及灵敏度对的变化 ,显影温度:21.5° ,定影液:IPA。

专用显影剂 X AR 600-50/4 同样适用于 AR-P 617、CSAR 62 和 950K PMMA 的开发,因此可用作两层或三层胶体系(例如特别是)的通用显影液用于T-gate结构加工。通过改变显影时间可调整灵敏度。暗腐蚀为底切结构的产生提供了优势,且这个过程是温和且可控的。显影时间三分钟后,清零剂量仅为约 30 µC/cm 2。 与标准显影剂AR 600-50相比, X AR 600-50/4 的灵敏度明显更高  (清零剂量约为 50 µC/cm 2)。专用显影剂 X AR 600-50/3 也比标准显影剂 AR 600-50灵敏得多;清零剂量约为 36 µC/cm 2。几乎 10 % 的暗腐蚀可用于产生特别明显的底切结构。特别是在 100 kV 曝光下,底切结构通常很难产生,因为所需的电子背散射(邻近效应)几乎不会发生。尽管显影液X AR 600-50/3 完全不显影或仅微弱显影辐照区域,但仍可以轻松获得剥离结构(见右图):

双层胶体系AR-P 617 (底层,SB: 200 °C)/CSAR 62(顶曾,SB: 180 °C),100 kV,显影液 1.  AR 600-546  (CSAR 62) 和 2.  AR 600-50 用于 AR-P 617  (底层,左)或 X AR 600-50/3  (底层,右)。资料来源:丹麦 DTU Danship 的 Tine Greibe。

专用显影剂 X AR 600-55/1 非常适合开发 AR-P 617 和 PMMA。该显影剂因此可以用作双层或三层胶工艺的通用显影液,特别是例如用于制造T-Gates应用下。灵敏度可再次通过显影时间进行调整。在 3 分钟的显影时间内,没有观察到明显的暗腐蚀。因此可以通过曝光剂量容易地控制底切的形成。

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