导电薄膜(导电胶)

在绝缘衬底上进行电子束光刻时,特别是在石英掩模或玻璃上,高能电子的冲击往往会引起强表面电荷。 电荷的消散速度不够快,就会产生表面电势。 因此,入射电子束会发生偏转,从而导致所需结构的畸变。我们称之为荷电效应或或者叫充电效应。 应用于电子束光刻胶上等或者下层的导电膜能够消散这些积累的电荷。  

如果镀一层薄薄的(几纳米)金、银或铬金属层到衬底上,就可以解决这个问题了。 在曝光期间,电荷现在可以快速释放。 如果表面的金属层与接地链接,这个过程变得更加明显。 然而,这个过程比较麻烦。 首先,必须沉积金属层,随后必须在显影步骤之前再次移除。 如果用户能够在基板上气相沉积铝层,并且可以使用以碱性显影液的电子束光刻胶(例如AR-N 7400 – 7700),则该过程可以简化。 在“正常”显影步骤执行之前,水溶性碱显影也会立即腐蚀铝,并在几秒钟内溶解薄层。  

 由于金属化过程耗时较长,用户对旋转涂层导电膜的需求变得更加强烈。 然而,不幸的是,导电聚合物(如聚苯胺)几乎总是不溶于有机溶剂,因此不适合用于光刻胶的生产。   与此同时,市面上也有少量的导电保护膜,但它们要么非常昂贵,要么存在技术上的困难(稳定性太高无法很好的去除)。Allresist的产品AR-PC 5090/5091(原始型号 SX AR-PC 5000/90.1)是水溶性的。 需要注意,在这个导电层在曝光的过程中,也会发生一定数量的交联,这使得胶膜变得更加难以溶解。 在大多数情况下,水和异丙醇的混合物有助于去除残留的胶膜。 我们目前仍在继续努力开发替代导电薄膜。  

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