9.光刻胶如何曝光,最佳曝光剂量如何确定?在曝光之前,涂胶的样品和曝光后的样品可以储存多长时间?

在适当的光谱工作范围内使用掩模在适当的曝光系统中进行曝光,例如步进式光刻机(i-、g-线)、掩模对准式光刻机或接触式光刻机。在使用激光直写曝光设备时,使用激光束直接写入结构,因此不需要掩膜版。

AR 紫外光刻胶产品对宽波段 UV 范围(300 – 450 nm)敏感,因此对汞灯波长在 365 nm(i 线)、405 nm(h 线)和 436 nm(g-线)(光谱),在 g 线和 h 线范围内具有最大灵敏度。负胶 AR-N 4300 到 4400系列产品在 300 至 436 nm 范围内感光。AR-N 4200 在 300 和 380 nm 之间感光。

使用特殊光刻胶(例如 SX AR-P 3500/6),在某些情况下也可以在 488 nm(氩离子气体激光)或甚至 532 nm(Neodym-YAG 激光器)下进行曝光。对于 248 – 265 nm 的 UV 范围,光刻胶AR-P 5800 和 AR-N 4300 更为合适。原则上,PMMA 光刻胶和 CSAR 62 也可以用该波长的光进行曝光,但是灵敏度很低。

我们产品信息中所展示的灵敏度值仅是我们在标准分析中确定的指导值。

我们产品信息中给出的实际灵敏度取决于至少十几个参数。最重要的因素是:烘烤条件(温度、时间、设备:加热板或烘箱)、曝光波长、曝光设备(滤光片)、胶厚、显影液(强度、时间、温度、类型(缓冲或不缓冲))、曝光后的后烘工艺时间,烘烤后的再吸水时间,显影液的使用寿命等。但是每个用户都采用不同的工艺,因此必须在自己的测试中确定最佳曝光剂量。对于正性光刻胶,在合适的显影时间(取决于较厚,1 – 2 µm 约 30 – 40 秒)内显影大面积无结构所需的曝光剂量为清零剂量,对于有结构的图形曝光剂量约为清零剂量增加 10 – 20 %。对于负性光刻胶,1 – 2 µm 未曝光区域的完全显影时间也约为 30 – 40 秒。产生大于 90 % D o的薄膜的曝光剂量,同样对于有结构区域的曝光剂量应增加 10 – 20 % 。

匀胶烘烤后的光刻胶样品可以在曝光前保存数周而不会导致曝光品质下降,与储存数小时或数天的带胶样品相比,光刻胶的灵敏度会有一定的变化。3 小时后灵敏度降低约 3%,72 小时后降低约 6%,72 小时后降低 8%(与最初达到的值相比)。

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