11.光刻胶胶层如何去除?

在实际生产中,由于各种原因(如衬底不干净,涂胶出现颗粒污染或者气泡等),需要进行返工,及去除涂胶烘烤后的光刻胶层。对于前烘(软烘)后的光刻胶层的去除,可以使用极性溶剂,例如相应的光刻胶稀释剂AR 300-12(乙酸甲氧基丙酯=PGMEA)和去除剂AR 600-70(基于丙酮)。去胶液 AR 600-70 也是最常用的。

对于经过高温烘烤至 180 °C的光刻胶层的湿化学去除,Allresist 建议使用 可加热至 80 °C的有机全能去胶液 AR 300-76 ,以减少溶解时间。更合适的是有机去除剂 AR 300-70 和 AR 300-72,但它们含有 NEP 作为主要成分,被归类为有生殖毒性的物质。

对于烘烤 至 170 °C的光刻胶薄膜,水性碱性去胶液 AR 300-73 也非常适合,可加热至 50 °C,但该去胶液会侵蚀铝表面。

对于烘烤至 170 °C的光刻胶薄膜,我们推荐去除液 AR 600-71  ,它在室温下已经非常有效。该去胶液特别适用于需要使用低闪点去胶液的客户。

~ 详情见去胶液产品信息

在半导体工业中,去除(剥离)主要通过在等离子去胶机中进行灰化。由微波激发产生的O 2等离子体用于光刻胶的各向同性蚀刻。但氧化性酸混合物(食人鱼、硝基盐酸、硝酸等)也可用于湿化学去胶工艺。

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