AR-P 617新显影液

我们的高灵敏度电子束光刻胶 AR-P 617 经常用于双层胶工艺,主要与 PMMA 结合使用,用于生产T-gate等剥离结构。通常必须确保两个胶层可以选择性地并且彼此独立地显影。尽管包含 MIBK 的显影液可用于此目的,但由于这些显影液对两个胶层都有腐蚀,因此工艺窗口相对较窄。因此,我们评估了允许这种高灵敏度胶显影的新显影液系统,选择性地显影AR-P 617 ,另一方面并不影响 PMMA 胶层。

在与外部合作伙伴密切合作中,我们提供并开发了以不同剂量系列(AR-P 617,Si 片,SB 200 °C 10 分钟,胶层厚约 1 微米,涂有 Electra 92,50 keV)的衬底, Allresist使用不同的有机显影液进行显影。详细评估了关键参数(显影液成分、显影时间、显影液温度)对显影过程的影响。

图: 使用标准显影液AR 600-50 显影(递增剂量系列),使用 Dektak 150 扫描结构并确定渐变曲线

使用 Dektak 150 对显影的线条图案进行多次扫描,然后使用确定的层厚度值与曝光剂量之间的关系曲线。这里使用显影液 AR 600-50,图中可知其清零剂量约为 48 µC/cm 2 。

使用替代显影液 1(乙醇和异丙醇的混合物)在 21°C 下显影 1 分钟和 3 分钟,随后用异丙醇定影。可以通过显影持续时间轻松控制灵敏度,而不会出现任何明显的暗腐蚀。 如果显影步骤延长,“清零剂量”从大约 64 µC/cm 下降到仅 36 µC/cm 2 。

图:显影剂 1 和显影剂 2 的渐变曲线对比

显影剂 2(乙醇和水的混合物)明显更强,“清除剂量”在约 20 µC/cm 2的范围内,但未曝光区域也受到更强烈的攻击。在 3 分钟的显影时间后测量到几乎 20% 的暗场损失。如果在较低温度下进行显影,则可以减少这种不希望的暗腐蚀。由于 PMMA 或 CSAR 62 几乎没有受到攻击,因此这两个新开发人员都非常适合用于两层流程。通常,与标准显影剂 AR 600-50 相比,观察到更高的灵敏度。

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