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在光刻胶之后，光刻胶膜中仍含有大量残留溶剂，这取决于相应的膜厚度。随后在 90 – 100 °C 下进行烘烤步骤（软烘或者前烘），以干燥否则光刻胶会粘在掩模板上。此外，在前烘步骤中，光刻胶层会硬化，使其稳定性更高。除了光刻胶和衬底粘附性的改善外，显影步骤期间的暗腐蚀也会减少。
欠烘烤：未充分烘烤（太短或温度太低）光刻胶会带来各种进一步的问题。随后，由于残留溶剂的蒸发，可能会产生气泡（FAQ 7： 气泡）。特别是，不准确的结构图形和倒角的光刻胶轮廓或者不可接受的暗腐蚀。
过烘烤：光刻胶膜过烘烤（温度过高，但烘烤时间过长）会导致光敏物质部分损坏，从而显着降低灵敏度并导致曝光剂量增大。
紫外光刻胶FAQ概述：
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