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在光刻胶之后,光刻胶膜中仍含有大量残留溶剂,这取决于相应的膜厚度。随后在 90 – 100 °C 下进行烘烤步骤(软烘或者前烘),以干燥否则光刻胶会粘在掩模板上。此外,在前烘步骤中,光刻胶层会硬化,使其稳定性更高。除了光刻胶和衬底粘附性的改善外,显影步骤期间的暗腐蚀也会减少。
欠烘烤:未充分烘烤(太短或温度太低)光刻胶会带来各种进一步的问题。随后,由于残留溶剂的蒸发,可能会产生气泡(FAQ 7: 气泡)。特别是,不准确的结构图形和倒角的光刻胶轮廓或者不可接受的暗腐蚀。
过烘烤:光刻胶膜过烘烤(温度过高,但烘烤时间过长)会导致光敏物质部分损坏,从而显着降低灵敏度并导致曝光剂量增大。
紫外光刻胶FAQ概述:
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